DRAM 需求側分析：PC產品拆解。內存的高速讀寫能力顯著提升PC運行速度并降低延遲。CPU處理速度遠高于硬盤讀寫速度，需要時再從硬盤中調用數據將造成CPU性能浪費。內存架構位于硬盤與CPU之間，為CPU存儲指令及預存相關數據。處理器可直接從內存中讀取所需數據，減少磁盤讀寫操作。PC端DRAM一般采用DDR與GDDR。GDDR主要為GPU預存數據并存儲GPU處理結果以待調用。部分低端PC采用集成顯卡，不配置獨立顯存。集成顯卡運行時會占用系統內存。
DRAM定義與結構：易失性存儲器。動態隨機存儲器（DRAM）和靜態隨機存儲器（SRAM）同屬于易失性存儲器，在斷電狀態下數據會丟失。兩者因結構不同，其應用場景有很大的不同。 DRAM利用電容儲存電荷多少來存儲數據，需要定時刷新電路克服電容漏電問題，讀寫速度比SRAM慢，常用于容量大的主存儲器，如計算機、智能手機、服務器內存等。SRAM讀寫速度快，制造成本高，常用于對容量要求較小的高速緩沖存儲器，如CPU一級、二級緩存等。
DRAM定義與結構：晶體管結構、Bit Cell。DRAM由許多重復的“單元”——位元格（Bit Cell）組成，每一個cell由一個電容和一個晶體管（一般是N溝道MOSFET——控制電容充放電的開關）構成，電容可儲存1bit數據量，充放電后電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數據0和1。晶體管MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。DRAM具有刷新特性。由于電容存在漏電現象，因此必須經常進行充電保持電勢（刷新），這個刷新的操作一直要持續到數據改變或者斷電。
